Toshiba stellt Single-Package-SSDs mit 64-Layer-3D-Flashspeicher vor

Düsseldorf,
8. August 2017

Toshiba stellt Single-Package-SSDs mit 64-Layer-3D-Flashspeicher vor

Neue BG3-NVMe-SSDs ermöglichen mit ultrakompaktem Design die Fertigung von schmalen, leichten, schnellen und energieeffizienten Mobile-Computing- und IoT-Geräten.

Toshiba Electronics Europe GmbH kündigt mit der BG3-Serie die nächste Generation seiner Single-Package Ball Grid Array (BGA) Solid State Drives (SSDs) an, die auf dem aktuellen 64 Layer 3-Bit-per-Cell TLC (Triple-Level-Cell) BiCS FLASH von Toshiba basieren. Zum einen bieten sie eine höhere Performance (1) und geringere Größe als traditionelle SATA-basierte Laufwerke. Zum anderen ermöglicht die BG3-Serie mit ihrem kosteneffektiven DRAM-losen Design ein hochwertiges Nutzererlebnis; zu einem Bruchteil des Energiebedarfs anderer NVM Express (2) (NVMe) (3) SSDs (4).

Die neue BG3-Serie bietet das Feature Host Memory Buffer (HMB) in der NVMe-Revision 1.2.1. Indem der Host-Speicher für Flash-Management-Prozesse genutzt wird, ist eine hohe Performance auch ohne integriertes DRAM sichergestellt. Diese leistungsstarke Kombination ermöglicht es, die Leistung der NVMe-Speicher zu nutzen und gleichzeitig den vorhandenen Platz und die Kosteneffizienz zu maximieren. Endanwender profitieren von einer mobilen Erfahrung der nächsten Generation. Sowohl schnell als auch wirtschaftlich bieten diese miniaturisierten SSDs auch Rechenzentren- und Unternehmensanwendungen eine alternative Lösung für den Einsatz als Boot-Speicher für Server.

Design und Portabilität stehen für Hersteller von Notebooks und Tablets im Vordergrund; die BG3-Serie wurde speziell im Hinblick auf die Produktion von schmalen, energieeffizienten Geräten entwickelt. Durch den Verzicht auf DRAM sind die BG3-Modelle von Toshiba die weltweit dünnsten SSDs (5); sie besitzen eine Höhe von lediglich 1,3 mm. Durch den niedrigen Energieverbrauch wird die Akkulaufzeit verlängert.

Die BG3-SSDs von Toshiba bieten trotz geringer Größe eine hohe Performance. Mit einem PCI Express (PCIe) (6) Gen3 Interface mit zwei Lanes und einer NVMe-Revision-1.2.1-Architektur unterstützt die BG3 eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit bis zu 1.520 MB/s und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit bis zu 840 MB/s (7); hinsichtlich der theoretischen maximalen Bandbreite sind die Laufwerke damit 2,7- beziehungsweise 1,5-fach schneller als SATA 6 Gbit/s SSDs. Außerdem enthalten die neuen SSDs einen SLC-Cache für eine exzellente Performance bei extrem hoher Arbeitsauslastung, wie sie regelmäßig auf Windows-basierten (8) PCs auftritt.

Die ultrakompakte BG3-Serie ist verfügbar mit Speicherkapazitäten von 128 GB, 256 GB und 512 GB (9). Alle drei Modelle sind in zwei Formfaktoren erhältlich: als BGA-Modul M.2 1620 oder als wechselbares Modul M.2 2230.

„Die BG-SSDs der dritten Generation von Toshiba sind ideal geeignet für den Einsatz in mobilen und IoT-Geräten sowie in Rechenzentren“, betont Paul Rowan, General Manager Toshiba Electronics Europe, SSD Business Unit. „In Rechenzentren kann die BG3 sowohl die Kapital- als auch die Betriebskosten deutlich reduzieren, da sie in Bezug auf Leistung und Preis die Lücke zwischen Enterprise-SATA- und Mainstream-Client-NVMe-SSDs schließt und als Boot-Speicher einen verbesserten Energieverbrauch in einem kompakten Format bietet.“

Das Single-Package-Design der BG3-SSDs umfasst Controller- und Firmware-Entwicklungen von Toshiba, die eng mit dem Flashspeicher integriert und für hohe Performance und Zuverlässigkeit sowie geringen Energieverbrauch optimiert sind. Modelle mit automatischer Datenverschlüsselung (SED – Self-Encrypting Drive), die die TCG (10)-Opal-Version 2.01 unterstützen, sind ebenfalls verfügbar.

Muster der BG3-Serie sind für ausgewählte Kunden verfügbar. Vorgestellt wird die neue Serie auf dem Flash Memory Summit 2017 in Santa Clara, Kalifornien, USA, vom 8. bis 10. August am Stand 407.

Weitere Informationen über die Storage-Produkte von Toshiba gibt es unter: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/product/storage-products.html

(1) Schnellere sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten

(2) NVM Express und das NVM Express Logo sind registrierte Markenzeichen

(3) NVMe ist ein Markenzeichen von NVM Express, Inc.

(4) Im Vergleich zu M.2 2280 SSDs und M.2 1620/2230 SSDs mit DRAM

(5) 128-GB- und 256-GB-BGA-Modelle; Untersuchung der Toshiba Memory Corporation, 3. August 2017

(6) PCIe und PCI EXPRESS sind registrierte Markenzeichen von PCI-SIG.

(7) Die Angaben der Toshiba Memory Corporation (TMC) basieren auf den sequenziellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von 128 KiB Units bei Einsatz von 512-GB-Modellen der BG3-Serie unter TMC-Testbedingungen. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeiten können abhängig vom Host-Gerät, von den Lese- und Schreibbedingungen sowie von der File-Größe variieren. Die Toshiba Memory Corporation definiert ein Megabyte (MB) mit 1.000.000 Bytes und ein Kibibyte (KiB) mit 2 hoch 10 Bytes oder 1.024 Bytes. Die genannten Werte für die sequenzielle Lese- und Schreibperformance sind Referenzdaten, die sich von den BG3-Produktdaten im Datenblatt unterscheiden können.

(8) Windows ist ein registriertes Markenzeichen der Microsoft Corporation in den USA und/oder anderen Ländern.

(9) Ein Gigabyte (1 GB) entspricht 10 hoch 9 = 1.000.000.000 Bytes in Zehnerpotenzen. Ein Betriebssystem hingegen weist Speicherkapazitäten in Zweierpotenzen aus (1 GiB = 2 hoch 30 = 1.073.741.824 Bytes) und zeigt deshalb weniger Speicherplatz an. Der tatsächlich verfügbare Speicherplatz (einschließlich verschiedener Beispiel-Dateien) ist abhängig von File-Größe und -Format, Einstellungen, Software und Betriebssystem wie Microsoft-Betriebssystem und vorinstallierten Software-Applikationen oder Medieninhalten. Die tatsächlich formatierte Speicherkapazität kann abweichen.

(10) Trusted Computing Group

* Genannte Firmennamen, Produktbezeichnungen und die Namen der Dienstleistungen können Warenzeichen ihrer jeweiligen Unternehmen sein.

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Über Toshiba Electronics Europe

Toshiba Electronics Europe GmbH (TEE) ist die europäische Zentrale für das Geschäft mit elektronischen Bauelementen der Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation. TEE bietet eine umfangreiche Produktlinie in den Bereichen ICs und diskrete Bauelemente, einschließlich High-End-Speicher, Mikrocontroller, ASICs und ASSPs für Anwendungen in den Bereichen Automotive, Multimedia, Industrie, Telekommunikation und Netzwerkbetrieb. Das Unternehmen stellt darüber hinaus auch eine Vielzahl von Leistungshalbleitern sowie Storage-Produkte wie HDDs, SSDs, SD-Karten oder USB-Sticks bereit.

TEE wurde 1973 in Neuss (Deutschland) als Standort für Design, Fertigung, Marketing und Vertrieb gegründet. Die Unternehmenszentrale befindet sich mittlerweile in Düsseldorf (Deutschland) und das Unternehmen verfügt über Niederlassungen in Frankreich, Italien, Spanien, Schweden und Großbritannien. TEE beschäftigt ca. 300 Mitarbeiter in Europa. Präsident des Unternehmens ist Akira Morinaga.

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